碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代宽带隙半导体材料的代表，由于其具有禁带宽度大(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(Si的2.5倍)、高击穿电场(Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。新创纳公司在国内SIC材料生长加工刚刚起步阶段便开发出了相应产品，成为了SIC抛光液的首选国产替代厂家。产品具体包括粗抛液和精抛液，且针对大尺寸(8，12寸)用的单片机工艺开发出了专用型号，也可根据客户需求定制开发相应产品，当前国内市场率70%以上，受到客户的广泛认可。